Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Корпус TO-220

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 650 V
• 42 А
• 125 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 48 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 35 А
• 125 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 55 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 30ns | ...