Транзисторы для электронных компонентов. Бренд Silan Microelectronics. Корпус TO-3P

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 650 V
• 120 А
• 450 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 110 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 55ns | ...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 100 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 18ns | ...

• Silan Microelectronics
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,28 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 208 pF / 25 V | Заряд затвора: 67.8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 20 A
• 0,27 Ohm
• 252 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 425 pF / 25 V | Заряд затвора: 58.38 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 18 A
• 0,31 Ohm
• 240 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2320 pF / 25 V | Заряд затвора: 37.9 nC / 10 V