Транзисторы для электронных компонентов. Бренд Renesas. Корпус TO-3P

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 260,4 W
• …+150°C

Примечание: Заряд затвора: 74 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 53ns | Время выключения: 90ns

• Renesas
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 1500 V
• 20 В
• 2,5 A
• 12 Ohm
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Ёмкость затвора: 990 pF / 10 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 15V