Транзисторы для электронных компонентов. Корпус TO-3P. Ugs max 20 В

• Renesas
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 1500 V
• 20 В
• 2,5 A
• 12 Ohm
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Ёмкость затвора: 990 pF / 10 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 15V

• NEC
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 20 В
• 6 A
• 2,5 Ohm
• 150 W
• …+150°C

Примечание: Ёмкость затвора: 280 pf

• Ixys
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 140 A
• 9,6 mOhm
• 520 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 4mA | Ёмкость затвора: 7660 pF / 25 V | Заряд затвора: 127 nC / 10 V | Диапазон номинальных...