Транзисторы для электронных компонентов. Тип Полевые N-канальные. Корпус TO-3P

• Silan Microelectronics
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 18 A
• 0,31 Ohm
• 240 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2320 pF / 25 V | Заряд затвора: 37.9 nC / 10 V

• ONS-FAIR
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 8,6 A
• 1,3 Ohm
• 240 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2700 pF / 25 V | Заряд затвора: 72 nC / 10 V | Диапазон номинальных...