Транзисторы для электронных компонентов. Тип Полевые N-канальные. Корпус TO-3P

• Silan Microelectronics
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 20 A
• 0,27 Ohm
• 252 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 425 pF / 25 V | Заряд затвора: 58.38 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 18 A
• 0,31 Ohm
• 240 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2320 pF / 25 V | Заряд затвора: 37.9 nC / 10 V

• ONS-FAIR
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 16,5 A
• 380 mOhm
• 205 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1945 pF / 25 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ixys
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 20 A
• 300 mOhm
• 380 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 1.5mA | Ёмкость затвора: 1800 pF / 25 V | Заряд затвора: 36 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 25 A
• 0,21 Ohm
• 300 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3487 pF / 25 V | Заряд затвора: 64 nC / 10 V