Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Ток 40 А

• IGBT
• WEEN/NXP
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 125 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 173 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 95ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 167 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 116 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 38ns | ...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 230 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 60 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 6ns | ...

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 40 А
• 480 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 87 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 22ns | Время выключения: 177ns

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 46 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 52 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 55ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 40 А
• 288 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 170 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время выключения: 260ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 17ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 17ns | Время выключения: 194ns

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 111 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 45 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 29ns | ...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 40 А
• 417 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 250 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 85ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1,25 V
• 40 А
• 259 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 68 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.55 | Время выключения: 106ns

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 333 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 265 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 29ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 255 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 22ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 174 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 119 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 12ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 116 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.4 | Время включения: 21ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 152 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 193 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.35 | Время включения: 30ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 40 А
• 310 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 211 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время выключения: 387ns