Транзисторы для электронных компонентов. Ток 100 А. Корпус TO-247

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 100 А
• 535 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 210 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 100 А
• 535 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 370 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 100 А
• 350 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 125 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 85ns |...