Транзисторы для электронных компонентов. Тип Полевые N-канальные. Сопротивление 2,6 mOhm

• TI
• VSONP-8(5x6)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 10 В
• 28 A
• 2,6 mOhm
• 3.2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.55V / 250µA | Ёмкость затвора: 3480 pF / 15 V | Заряд затвора: 25 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 27 A
• 2,6 mOhm
• 3.9 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.25V / 250µA | Ёмкость затвора: 4860 pF / 15 V | Заряд затвора: 56 nC / 10 V

• INFIN
• TO-263CB
• SMD
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 160 A
• 2,6 mOhm
• 300 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 7820 pF / 25 V | Заряд затвора: 200 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• PG-TO263-3
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 25 A
• 2,6 mOhm
• 3 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.8V / 75µA | Ёмкость затвора: 4100 pF / 30 V | Заряд затвора: 56 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• D2PAK-7
• SMD
• Полевые N-канальные
• 75 V
• 20 В
• 260 A
• 2,6 mOhm
• 370 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 9200 pF / 50 V | Заряд затвора: 240 nC / 10 V | Диапазон номинальных...