Транзисторы для электронных компонентов. Тип монтажа SMD. Pd 25 2.8 W

• TI
• VSONP-8(3.3x3.3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 50 A
• 14,5 mOhm
• 2.8 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 1680 pF / 50 V | Заряд затвора: 21 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TI
• VSONP-8(3.3x3.3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 15 A
• 59 mOhm
• 2.8 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 454 pF / 50 V | Заряд затвора: 4.3 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 29 A
• 2,2 mOhm
• 2.8 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 250µA | Ёмкость затвора: 5640 pF / 15 V | Заряд затвора: 65 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 25 V
• 20 В
• 95 A
• 1,25 mOhm
• 2.8 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 150µA | Ёмкость затвора: 6750 pF / 13 V | Заряд затвора: 69 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 20 В
• 30 A
• 2,2 mOhm
• 2.8 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.45V / 250µA | Ёмкость затвора: 5040 pF / 10 V | Заряд затвора: 57 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• PQFN-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 12,4 mOhm
• 2.8 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 25µA | Ёмкость затвора: 755 pF / 15 V | Заряд затвора: 8.1 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 170 A
• 2,2 mOhm
• 2.8 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 100µA | Ёмкость затвора: 4700 pF / 15 V | Заряд затвора: 54 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...