Транзисторы для электронных компонентов. Тип монтажа SMD. Корпус SO8

• MCRCH
• SO8
• SMD
• Другое
• 200 V
• 1 A
• 7 Ohm
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 1mA | Ёмкость затвора: 110pF / 25V

• Ir
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 3,7 A
• 79 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1820 pF / 25 V | Заряд затвора: 59 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 12 В
• 36 A
• 14,6 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.1V / 10µA | Ёмкость затвора: 1025 pF / 25 V | Заряд затвора: 11 nC / 4.5 V