Транзисторы для электронных компонентов. Тип Полевые N-канальные. Тип монтажа SMD

• Ir
• SOIC-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 80 V
• 20 В
• 6,3 A
• 29 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1680 pF / 25 V | Заряд затвора: 57 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• SOIC-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 7 A
• 26 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1740 pF / 25 V | Заряд затвора: 31 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 6 A
• 37 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.7V / 250µA | Ёмкость затвора: 2000 pF / 50 V | Заряд затвора: 44 nC / 10 V | Диапазон номинальных...