Транзисторы для электронных компонентов. Тип Биполярные NPN. Тип монтажа THT

• Биполярные NPN
• Central Semiconductor
• THT
• TO-92-3
• 15 V
• 0,05 А
• 200
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 2 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 400 V
• 0,3 А
• 200
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 500

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-225
• 350 V
• 0,3 А
• 200
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 450

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92
• 30 V
• 0,1 А
• 200
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• Lge
• THT
• TO-3PN
• 160 V
• 12 А
• 200
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Напряжение коллектор-база, В: 160

• Биполярные NPN
• HIT
• THT
• 360 V
• 0,1 А
• 200
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 400

• Биполярные NPN
• HIT
• THT
• TO-92
• 20 V
• 0,03 А
• 200
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.8 | Напряжение коллектор-база, В: 30