Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Тип монтажа THT. Страница 5

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 650 V
• 160 А
• 625 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 125ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 282 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 230 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.4 | Время включения: 45ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1,25 V
• 40 А
• 259 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 68 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.55 | Время выключения: 106ns

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 268 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 99 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 333 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 265 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 29ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 273 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 290 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 26ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 349 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 27ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 156 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 90 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 75 А
• 270 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 203 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 48ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 255 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 22ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 60 А
• 375 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 280 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.4 | Время включения: 50ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 217 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 75 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.05 | Время включения: 21ns | ...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 535 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 42ns | ...

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 24ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 174 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 119 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 12ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 25ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 28 А
• 81 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 107 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 52ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 334 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 60ns |...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 120 А
• 298 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 192 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 29ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 116 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.4 | Время включения: 21ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1100 V
• 30 А
• 166 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 180 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время выключения: 470ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 305 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 223 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время выключения: 193ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 152 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 193 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.35 | Время включения: 30ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 141 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 230 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.35 | Время включения: 50ns |...