Транзисторы для электронных компонентов. Тип Полевые N-канальные. Температурный диапазон -40…+150°C

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 29 A
• 2,2 mOhm
• 2.8 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 250µA | Ёмкость затвора: 5640 pF / 15 V | Заряд затвора: 65 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 27 A
• 2,6 mOhm
• 3.9 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.25V / 250µA | Ёмкость затвора: 4860 pF / 15 V | Заряд затвора: 56 nC / 10 V

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 14 A
• 7,7 mOhm
• 2.3 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 250µA | Ёмкость затвора: 1330 pF / 15 V | Заряд затвора: 17 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 25 V
• 20 В
• 95 A
• 1,25 mOhm
• 2.8 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 150µA | Ёмкость затвора: 6750 pF / 13 V | Заряд затвора: 69 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 20 В
• 30 A
• 2,2 mOhm
• 2.8 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.45V / 250µA | Ёмкость затвора: 5040 pF / 10 V | Заряд затвора: 57 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 170 A
• 2,2 mOhm
• 2.8 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 100µA | Ёмкость затвора: 4700 pF / 15 V | Заряд затвора: 54 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 5,7 A
• 35 mOhm
• 2.2 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.9V / 50µA | Ёмкость затвора: 890 pF / 25 V | Заряд затвора: 20 nC / 10 V | Диапазон номинальных...