Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Ток 25 А

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 25 А
• 365 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 146 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 360 V
• 25 А
• 125 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 29 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.35 | Время включения: 650ns |...