Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Ток 40 А

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 167 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 116 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 38ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1,25 V
• 40 А
• 259 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 68 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.55 | Время выключения: 106ns

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 333 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 265 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 29ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 174 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 119 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 12ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 40 А
• 277 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 370 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1400 V
• 40 А
• 272 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 203.5 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9

• IGBT
• ST
• THT
• I2PAK
• 345 V
• 40 А
• 176 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 49 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.15 | Время включения: 1.1µs | Время выключения: 26.5µs

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 425 V
• 40 А
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 51 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 2.3us | ...