Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Температурный диапазон -55…+175°C

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 300 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 90 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1100 V
• 50 А
• 300 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 195 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.6 | Время включения: 24ns | ...