Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Бренд Ir

• IGBT
• Ir
• SMD
• TO-263
• 600 V
• 42 А
• 140 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 25 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 31ns | ...

• IGBT
• Ir
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 6 А
• 39 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 19.5 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 27ns |...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 100 А
• 330 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 140 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 60ns | ...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 76 А
• 268 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 104 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 46ns | ...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-220AB
• 600 V
• 8 А
• 56 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 13 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 25ns | ...