Транзисторы для электронных компонентов. Тип Полевые N-канальные. Бренд Vbsemi

• Vbsemi
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 50 A
• 0,010 Ohm
• 136 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 470 pF / 25 V | Заряд затвора: 70 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 150 A
• 0,010 Ohm
• 175 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 710 pF / 25 V | Заряд затвора: 97 nC / 10 V

• Vbsemi
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 25 В
• 85 A
• 10 MOhm
• 160 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 4120 pF / 25 V | Заряд затвора: 112 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 270 A
• 0,0016 Ohm
• 375 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 5750 pF / 25 V | Заряд затвора: 128 nC / 10 V