Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Температурный диапазон -55…+175°C

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 120 А
• 333 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 79 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 20.8ns |...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 240 А
• 882 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 163 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 53ns | ...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 30 А
• 294 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 109 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 64ns | Время выключения: 128ns

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 40 А
• 277 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 370 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns | ...