• Популярные
  • Время добавления
  • Цена
Транзистор IGBT STGWT60H65DFB

Транзистор IGBT STGWT60H65DFB

5

Код: 627749

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 60 А
  • 375 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 306 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 51ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT STGWA75M65DF2

Транзистор IGBT STGWA75M65DF2

5

Код: 627706

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 75 А
  • 468 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 225 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 47ns |...

В наличии

Транзистор IGBT STGWA40H65DFB2

Транзистор IGBT STGWA40H65DFB2

4

Код: 627643

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 45 А
  • 230 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 153 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 18ns |...

В наличии

Транзистор IGBT STGWA30H65DFB

Транзистор IGBT STGWA30H65DFB

4

Код: 627640

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 30 А
  • 260 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 149 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 46ns |...

В наличии

Транзистор IGBT STGW80H65DFB

Транзистор IGBT STGW80H65DFB

5

Код: 627773

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 120 А
  • 469 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 414 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 84ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT STGW75H65DFB2-4

Транзистор IGBT STGW75H65DFB2-4

5

Код: 627696

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 71 А
  • 357 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 207 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 22ns |...

В наличии

Транзистор IGBT STGW40H65DFB

Транзистор IGBT STGW40H65DFB

4

Код: 627699

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 80 А
  • 283 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 210 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns | ...

Товар распродан

Страница 1 из 1