Транзисторы для электронных компонентов. Бренд Vbsemi. Температурный диапазон -55...+150°C

• Vbsemi
• SOP-8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 7,3 A
• 0,035 Ohm
• 5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1350 pF / 15 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V

• Vbsemi
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 9 A
• 280 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1080 pF / 25 V | Заряд затвора: 21 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 20 В
• 47 A
• 0,07 Ohm
• 415 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.9V | Ёмкость затвора: 2200 pF / 25 V | Заряд затвора: 121 nC

• Vbsemi
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 180 A
• 2 mOhm
• 312 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 9000 pF / 20 V | Заряд затвора: 120 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 20 В
• 25,4 A
• 0,074 Ohm
• 5.9 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1735 pF / 50 V | Заряд затвора: 43 nC / 10 V