Транзисторы для электронных компонентов. Температурный диапазон -55...+150°C. Pd 25 3.1 W

• Ir
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 В
• 18 A
• 6,5 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 5500 pF / 16 V | Заряд затвора: 60 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 12 В
• 5 A
• 46 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1128 pF / 15 V | Заряд затвора: 11.3 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 В
• 13 A
• 14,5 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1885 pF / 15 V | Заряд затвора: 31 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 12 В
• 20 A
• 5,5 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 4630 pF / 10 V | Заряд затвора: 43 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 В
• 28 A
• 3,3 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 2250 pF / 15 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 12 В
• 40 A
• 6 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 4630 pF / 10 V | Заряд затвора: 43 nC / 10 V | Диапазон номинальных...