Транзисторы для электронных компонентов. Бренд Silan Microelectronics. Температурный диапазон -55...+150°C

• Silan Microelectronics
• TO-251
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 7 A
• 1,4 Ohm
• 90 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 789 pF / 25 V | Заряд затвора: 21.2 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 12 A
• 0,8 Ohm
• 51 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 155 pF / 25 V | Заряд затвора: 24.15 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 9 A
• 0,85 Ohm
• 148 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1038 pF / 25 V | Заряд затвора: 27 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• D-Pak
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 7 A
• 1,4 Ohm
• 89 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 789 pF / 25 V | Заряд затвора: 21.2 nC / 10 V