Транзисторы для электронных компонентов. Тип Полевые N-канальные. Температурный диапазон -55...+150°C

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 120 A
• 3,5 mOhm
• 110 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 436 pF / 20 V | Заряд затвора: 102 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 180 A
• 2 mOhm
• 312 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 9000 pF / 20 V | Заряд затвора: 120 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TI
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 53 A
• 7 mOhm
• 115 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1800 pF / 20 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TI
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 100 A
• 4,5 mOhm
• 188 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 3150 pF / 20 V | Заряд затвора: 36 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 40 В
• 0,02 A
• 625 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 700mV / 1nA | Ёмкость затвора: 16 pF / 15 V

• ONS
• SOT23-3
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 350 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.2 V / 1 nA | Ёмкость затвора: 16pF / 15V

• ONS
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 40 В
• 0,05 A
• 350 mW
• -55...+150°C

• ONS
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 6 A
• 29 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 955pF / 20V | Заряд затвора: 11 nC / 5 V | Диапазон номинальных напряжений...

• Ir
• PQFN5x6
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 16 В
• 29 A
• 2,4 mOhm
• 3.6 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 150µA | Ёмкость затвора: 4730 pF / 25 V | Заряд затвора: 82 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 198 A
• 1,4 mOhm
• 96 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.9V / 150µA | Ёмкость затвора: 6852 pF / 25 V | Заряд затвора: 212 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• SO8-118-0.65
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 18 A
• 5 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.25V / 250µA | Ёмкость затвора: 4500 pF / 20 V | Заряд затвора: 50 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• PQFN5x6
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 100 A
• 1,4 mOhm
• 156 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.9V / 150µA | Ёмкость затвора: 6419 pF / 25 V | Заряд затвора: 194 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Fair
• DualDPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 20 A
• 24 mOhm
• 35 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1000 pF / 20V | Заряд затвора: 20 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 80 A
• 3,3 mOhm
• 116 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 5391 pF / 20 V | Заряд затвора: 114 nC / 10 V

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 8 A
• 13 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.7V / 250µA | Ёмкость затвора: 1950pF / 20V | Заряд затвора: 33 nC / 10 V | Диапазон номинальных...