Транзисторы для электронных компонентов. Бренд DIODES. Температурный диапазон -55...+150°C

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 120 V
• 1 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 140

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 150 V
• 1 А
• 100
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 170

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 100 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 170

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 60 V
• 1 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.15 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 100 V
• 2 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.9 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 100 V
• 0,9 А
• 50000
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.75 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 70 V
• 1,5 А
• 450
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 70

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 12 V
• 2,5 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.18 | Напряжение коллектор-база, В: 12

• Другое
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 20 V
• 2,5 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.13 | Напряжение коллектор-база, В: 20

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 2 А
• 800
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 400 V
• 0,225 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 400

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 65 V
• 0,1 А
• 330
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• DIODES
• SOT23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 100 V
• 20 В
• 0,6 A
• 1 Ohm
• 625 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 141 pF / 50 V | Заряд затвора: 3.5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...