Транзисторы для электронных компонентов. Температурный диапазон -55...+150°C. Корпус SO8. Страница 2

• INFIN
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 7,3 A
• 22 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1530 pF / 25 V | Заряд затвора: 51 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 7,3 A
• 29 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 650pF / 25V | Заряд затвора: 33 nC / 10 V

• DIODES
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 8,5 A
• 21 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.1V / 250µA | Ёмкость затвора: 767pF / 10V | Заряд затвора: 16.1 nC / 10 V

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 20 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1690 pF / 25 V | Заряд затвора: 29 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 9,4 A
• 11 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 542 pF / 15 V | Заряд затвора: 12.2 nC / 10 V | Диапазон номинальных...