Транзисторы для электронных компонентов. Температурный диапазон -55...+150°C. Корпус 8-DFN-EP(3x3)

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 12 В
• 50 A
• 4,6 mOhm
• 6.2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 4550 pF / 10 V | Заряд затвора: 114 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 В
• 28 A
• 3,3 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 2250 pF / 15 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 12 В
• 40 A
• 6 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 4630 pF / 10 V | Заряд затвора: 43 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 12 В
• 20 A
• 5,3 mOhm
• 5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.25V / 250µA | Ёмкость затвора: 3300 pF / 10 V | Заряд затвора: 45 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...