• Популярные
  • Время добавления
  • Цена
Транзистор IGBT SGT25U120FD1P7

Транзистор IGBT SGT25U120FD1P7

5

Код: 627857

  • IGBT
  • Silan Microelectronics
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 50 А
  • 278 W
  • -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 91 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2

В наличии

Транзистор IGBT MBQ40T120FESTH

Транзистор IGBT MBQ40T120FESTH

4

Код: 627761

  • IGBT
  • Magnachip
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 80 А
  • 357 W
  • -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 341 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 65ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT IXYH40N120B3D1

Транзистор IGBT IXYH40N120B3D1

4

Код: 627849

  • IGBT
  • Ixys
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 40 А
  • 480 W
  • -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 87 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 22ns | Время выключения: 177ns

В наличии

Транзистор IGBT CRG25T120BK3S

Транзистор IGBT CRG25T120BK3S

5

Код: 627631

  • IGBT
  • Crmicro
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 50 А
  • 278 W
  • -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 141.2 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 48ns | Время выключения: 200ns

В наличии

Транзистор IGBT IXYH50N120C3D1

Транзистор IGBT IXYH50N120C3D1

5

Код: 627632

  • IGBT
  • Ixys
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 50 А
  • 625 W
  • -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 142 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 4.2 | Время включения: 28ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT IRG4PH50UPBF

Транзистор IGBT IRG4PH50UPBF

5

Код: 627654

  • IGBT
  • INFIN
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 45 А
  • 200 W
  • -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 160 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3.7 | Время включения: 35ns | ...

В наличии

Страница 1 из 1