Транзисторы для электронных компонентов. Температурный диапазон -55...+150°C. Тип монтажа SMD

• Silan Microelectronics
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 9 A
• 0,85 Ohm
• 148 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1038 pF / 25 V | Заряд затвора: 27 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• D-Pak
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 7 A
• 1,4 Ohm
• 89 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 789 pF / 25 V | Заряд затвора: 21.2 nC / 10 V

• NCE
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 15 A
• 220 mOhm
• 131 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 74 pF / 50 V | Заряд затвора: 42 nC / 10 V

• NCE
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 11,5 A
• 290 mOhm
• 101 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 870 pF / 50 V | Заряд затвора: 19 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 11 A
• 0,45 Ohm
• 74 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 770 pF / 100 V | Заряд затвора: 22 nC / 10 V

• Crmicro
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 4 A
• 2,8 Ohm
• 75 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 564 pF / 10 V | Заряд затвора: 15.8 nC / 10 V

• AOS
• TO-263
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 12 A
• 720 mOhm
• 278 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2150 pF / 25 V | Заряд затвора: 48 nC / 10 V | Диапазон номинальных...