Транзисторы для электронных компонентов. Температурный диапазон -55...+150°C. Тип монтажа THT

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 278 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 91 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 80 А
• 278 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 239 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 62ns | ...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 278 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 141.2 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 48ns | Время выключения: 200ns

• INFIN
• PG-TO247-3
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 20 В
• 37,9 A
• 99 mOhm
• 278 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 1.21mA | Ёмкость затвора: 3330 pF / 100 V | Заряд затвора: 70 nC / 10 V | Диапазон номинальных...