Транзисторы для электронных компонентов. Температурный диапазон -55...+150°C. Тип монтажа THT

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 34,5 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 30 А
• 34 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 63 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 16ns | ...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 15 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 25.4 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 40ns |...

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220F
• 800 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Напряжение коллектор-база, В: 1100

• Биполярные PNP
• TOS
• THT
• TO-220F
• 230 V
• 1 А
• 320
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 230

• Не указан
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 10 A
• 1 Ohm
• 50 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 135 pF / 25 V | Заряд затвора: 19.4 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Wayon
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 13 A
• 0,32 Ohm
• 31 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 0.25mA | Ёмкость затвора: 992 pF / 25 V | Заряд затвора: 4.9 nC / 10 V

• Wayon
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 13 A
• 0,16 Ohm
• 31 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 0.25mA | Ёмкость затвора: 1775 pF / 100 V | Заряд затвора: 27.3 nC / 10 V

• Vishay
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 400 V
• 30 В
• 6 A
• 1 Ohm
• 30 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 311 pF / 100 V | Заряд затвора: 18 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 12 A
• 0,65 Ohm
• 106 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 300 pF / 100 V | Заряд затвора: 96 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 30 В
• 10 A
• 0,36 Ohm
• 72 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 395 pF / 25 V | Заряд затвора: 26 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Umw
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 20 В
• 10 A
• 0,9 Ohm
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1570 pF / 25 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V

• TOS
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 9,7 A
• 450 mOhm
• 30 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 500µA | Ёмкость затвора: 720 pF / 300 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TOS
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 10 A
• 0,75 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 1mA | Ёмкость затвора: 1350 pF / 25 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V

• TOS
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 12 A
• 520 mOhm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 1mA | Ёмкость затвора: 1350 pF / 25 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 10 A
• 640 mOhm
• 35 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 1740 pF / 25 V | Заряд затвора: 59 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 25 В
• 13 A
• 280 mOhm
• 25 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 791 pF / 100 V | Заряд затвора: 21.5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 12 A
• 0,8 Ohm
• 51 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 155 pF / 25 V | Заряд затвора: 24.15 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 5 A
• 2,15 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 62.7 pF / 25 V | Заряд затвора: 9.27 nC / 10 V

• ONS-FAIR
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 8 A
• 1,4 Ohm
• 68 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2730 pF / 25 V | Заряд затвора: 58 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 20,7 A
• 190 mOhm
• 39 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 3080 pF / 25 V | Заряд затвора: 98 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 15 A
• 440 mOhm
• 38.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 3095 pF / 25 V | Заряд затвора: 63 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 11 A
• 380 mOhm
• 32.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1505 pF / 100 V | Заряд затвора: 35.6 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 9 A
• 850 mOhm
• 44 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1030 pF / 25 V | Заряд затвора: 35 nC / 10 V | Диапазон номинальных...