Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Бренд Ir. Тип монтажа SMD

• Ir
• TSOP-6
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 2,4 A
• 180 mOhm
• 1.7 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 170 pF / 25 V | Заряд затвора: 11 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• TO-263-7
• SMD
• Полевые N-канальные
• 24 V
• 20 В
• 429 A
• 1 mOhm
• 300 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 7700 pF / 19 V | Заряд затвора: 252 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• TO-263(D2PAK)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 200 A
• 3 mOhm
• 330 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 5890 pF / 15 V | Заряд затвора: 110 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• TO-252(DPAK)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 94 A
• 6 mOhm
• 89 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.25V / 250µA | Ёмкость затвора: 2920 pF / 15 V | Заряд затвора: 14 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• SOIC-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 80 V
• 20 В
• 6,3 A
• 29 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1680 pF / 25 V | Заряд затвора: 57 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• SOIC-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 7 A
• 26 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1740 pF / 25 V | Заряд затвора: 31 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 40 V
• 20 В
• 3,4 A
• 112 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1110 pF / 25 V | Заряд затвора: 37 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 5,8 A
• 45 mOhm
• 2. W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 1100 pF / 25 V | Заряд затвора: 59 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 14 A
• 8,5 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 25µA | Ёмкость затвора: 1040 pF / 15 V | Заряд затвора: 12 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 3,7 A
• 79 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1820 pF / 25 V | Заряд затвора: 59 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 6,9 A
• 26 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 3180 pF / 25 V | Заряд затвора: 61 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• PQFN
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 13 A
• 8,6 mOhm
• 2.4 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 25µA | Ёмкость затвора: 1060pF / 15V | Заряд затвора: 12 nC / 4.5 V

• Ir
• MICRO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 2,4 A
• 135 mOhm
• 1.25 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 210pF / 25V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V

• Ir
• D-Pak
• SMD
• Полевые N-канальные
• 75 V
• 20 В
• 42 A
• 26 mOhm
• 110 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2400 pF / 25 V | Заряд затвора: 110 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 198 A
• 1,4 mOhm
• 96 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.9V / 150µA | Ёмкость затвора: 6852 pF / 25 V | Заряд затвора: 212 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 29 A
• 2,2 mOhm
• 2.8 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 250µA | Ёмкость затвора: 5640 pF / 15 V | Заряд затвора: 65 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 27 A
• 2,6 mOhm
• 3.9 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.25V / 250µA | Ёмкость затвора: 4860 pF / 15 V | Заряд затвора: 56 nC / 10 V

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 14 A
• 7,7 mOhm
• 2.3 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 250µA | Ёмкость затвора: 1330 pF / 15 V | Заряд затвора: 17 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 25 V
• 20 В
• 95 A
• 1,25 mOhm
• 2.8 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 150µA | Ёмкость затвора: 6750 pF / 13 V | Заряд затвора: 69 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 20 В
• 30 A
• 2,2 mOhm
• 2.8 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.45V / 250µA | Ёмкость затвора: 5040 pF / 10 V | Заряд затвора: 57 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...