Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Тип монтажа THT. Ток 6 А

• Биполярные PNP
• ST
• THT
• TO-220
• 60 V
• 6 А
• 75
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 1200 V
• 6 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 24 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.8 | Время включения: 15ns | ...

• Биполярные NPN
• Не указан
• THT
• ISOWATT218
• 700 V
• 6 А
• 12
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 1500

• Биполярные NPN
• HIT
• THT
• TO-220
• 120 V
• 6 А
• 20000
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные NPN
• Isc
• THT
• TO-3PN
• 110 V
• 6 А
• 5000
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Напряжение коллектор-база, В: 130

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-247
• 800 V
• 6 А
• 8
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 1500

• Биполярные NPN
• NEC
• THT
• SOT199
• 800 V
• 6 А
• 6
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 1000

• Биполярные NPN
• Mcc
• THT
• 800 V
• 6 А
• 10
• …+125°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение коллектор-база, В: 800

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 80 V
• 6 А
• 160
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.45 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные PNP
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 80 V
• 6 А
• 160
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 80