Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Тип монтажа THT. Pd 25 230 W

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 45 А
• 230 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 153 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 18ns |...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 230 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 60 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 6ns | ...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 50 А
• 230 W
• -55…+175°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 0.25us | Время выключения:...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-HSIP247-3-2
• 650 V
• 79 А
• 230 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 70 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 17ns | Время выключения: 124ns

• INFIN
• TO-262
• THT
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 75 A
• 4,9 mOhm
• 230 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 4780 pF / 25 V | Заряд затвора: 180 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-247AC
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 97 A
• 9 mOhm
• 230 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 150µA | Ёмкость затвора: 4820 pF / 50 V | Заряд затвора: 120 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 120 A
• 4,2 mOhm
• 230 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 150µA | Ёмкость затвора: 4520 pF / 50 V | Заряд затвора: 120 nC / 10 V | Диапазон номинальных...