Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Температурный диапазон -40…+175°C. Корпус TO-247

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 592 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.35 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 180ns...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 714 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.35 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 36ns...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 672 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.37 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 172ns | ...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 138 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.12 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 103ns...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 650 V
• 240 А
• 893 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.86 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.4 | Время включения: 282ns...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 428 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 280 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 38ns | ...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 230 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 60 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 6ns | ...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 428 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 428 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 74ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 30 А
• 187 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 165 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 21ns | Время выключения: 207ns

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 188 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 90 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 45ns | ...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 650 V
• 75 А
• 468 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 173 nC | Время включения: 119ns | Время выключения: 390ns

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 150 А
• 375 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 145 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 50ns |...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 158 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 56ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 40 А
• 288 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 170 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время выключения: 260ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 53 А
• 200 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 130 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 15ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 17ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 17ns | Время выключения: 194ns

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 158 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 56ns |...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 180 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 140 А
• 428 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 470 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 31ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 193 nC | Время включения: 42ns | Время выключения: 432ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 74 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• Mcc
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 306 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 160 nC | Время включения: 12ns | Время выключения: 124ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 83 А
• 210 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 159 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.29 | Время включения: 17ns |...