Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Температурный диапазон -55…+175°C. Корпус TO-263

• IGBT
• NCE
• SMD
• TO-263
• 600 V
• 12 А
• 73 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 28 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 20ns | ...

• IGBT
• Ir
• SMD
• TO-263
• 600 V
• 42 А
• 140 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 25 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 31ns | ...

• NCE
• TO-263
• SMD
• Полевые N-канальные
• 82 V
• 20 В
• 140 A
• 5,2 mOhm
• 220 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 445 pF / 40 V | Заряд затвора: 158 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-263
• SMD
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 75 A
• 6,5 mOhm
• 170 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3450 pF / 25 V | Заряд затвора: 110 nC / 10 V | Диапазон номинальных...