Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Температурный диапазон -55...+150°C. Pd 25 450 W

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 650 V
• 120 А
• 450 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 110 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 55ns | ...

• ST
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 25 В
• 50 A
• 29 mOhm
• 450 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 8825 pF / 100 V | Заряд затвора: 204 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• TO-247SUPER
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 140 A
• 145 mOhm
• 450 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 5580 pF / 25 V | Заряд затвора: 230 nC / 10 V