Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Температурный диапазон -55...+150°C. Корпус SOT363

• Другое
• Nexperia
• SMD
• SOT363
• 65 V
• 0,1 А
• 200
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT363
• 45 V
• 0,1 А
• -55...+150°C

• Другое
• Rohm
• SMD
• SOT363
• 0,3 V
• 0,1 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 3

• Nxp
• SOT363
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 0,215 A
• 1,6 Ohm
• 295 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.1V / 250µA | Ёмкость затвора: 50 pF / 10 V | Заряд затвора: 0.6 nC / 4.5 V

• INFIN
• SOT363
• SMD
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 12 В
• 0,39 A
• 1,2 Ohm
• 250 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.2V / 1.5µA | Ёмкость затвора: 56pF / 15V | Заряд затвора: 0.62nC / 4.5V

• INFIN
• SOT363
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 1,4 A
• 160 mOhm
• 500 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 3.7µA | Ёмкость затвора: 94 pF / 15 V | Заряд затвора: 0.6 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• SOT363
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 8 В
• 0,88 A
• 400 mOhm
• 500 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 750mV / 1.6µA | Ёмкость затвора: 78pF / 10V | Заряд затвора: 0.26nC / 2.5V

• DIODES
• SOT363
• SMD
• Полевые N-канальные
• 50 V
• 20 В
• 0,2 A
• 3,5 Ohm
• 200 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 50 pF / 10 V