Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Тип Другое. Температурный диапазон -55...+150°C

• Silan Microelectronics
• SO8
• SMD
• Другое
• 55 V
• 20 В
• 17 A
• 70 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 386 pF / 25 V | Заряд затвора: 11 nC / 10 V

• MCRCH
• SO8
• SMD
• Другое
• 200 V
• 1 A
• 7 Ohm
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 1mA | Ёмкость затвора: 110pF / 25V

• INFIN
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 7,3 A
• 29 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 650pF / 25V | Заряд затвора: 33 nC / 10 V

• INFIN
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 6,8 A
• 27 MOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 10µA | Ёмкость затвора: 398 pF / 15 V | Заряд затвора: 14 nC / 10 V

• INFIN
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 6,5 A
• 29 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 650pF / 25V | Заряд затвора: 33 nC / 10 V

• DIODES
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 8,5 A
• 21 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.1V / 250µA | Ёмкость затвора: 767pF / 10V | Заряд затвора: 16.1 nC / 10 V

• Apec
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 4,7 A
• 28 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 800 pF / 25 V | Заряд затвора: 8 nC / 4.5 V

• AOS
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 6 A
• 30 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 310 pF / 10 V | Заряд затвора: 6 nC / 10 V | Диапазон номинальных...