Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 2

• Шоттки

• 10 A
• 1700 V
• 600 V
• Rohm
• TO-264
• THT
• Биполярные NPN

• 60 MHz
• 10 A
• 130 V
• 130 V
• TO-3FPA
• Биполярные PNP

• 7 A
• 800 V
• 500 V
• Savantic
• TO-3PN
• THT
• Биполярные NPN

• 2 A
• 500 V
• 400 V
• Savantic
• TO-220C
• THT
• Биполярные NPN

• 0,03 A
• 30 V
• 20 V
• Sanyo
• TO-92
• THT
• Биполярные NPN

• Toshiba
• 0.01 A
• 18 V
• 2-4E1D
• THT
• Полевые N-канальные

• Шоттки

• 12 A
• 1600 V
• 600 V
• Panasonic
• TO-3P-ISO
• THT
• Биполярные NPN

• 33 A
• 1150/38
• 100 V
• Vbsemi
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные

• IGBT

• 16 A
• 50 mA
• 600 V
• Umw
• TO-220

• 8 A
• 500 V
• 400 V
• Savantic
• TO-3PN
• THT
• Биполярные NPN

• Ограничительные

• 150 MHz
• 0.1 A
• 50 V
• 45 V
• TO-92
• Биполярные PNP

• 0,05 A
• 30 V
• 14 V
• Savantic
• SOT-23
• SMD
• Биполярные NPN

• 3 A
• Однофазный
• KBPC3
• 50 A
• 50 V
• THT

• 6 A
• 1500 V
• 800 V
• Savantic
• TO-3PN
• THT
• Биполярные NPN

• 40 A
• 2600/35
• 100 V
• Vbsemi
• D-Pak (TO-252)
• SMD
• Полевые N-канальные

• IGBT

• 20 A
• 50 mA
• 600 V
• Umw
• TO-220AB

• 1,1 A
• 40 V
• Vishay
• HD-1
• THT
• Полевые N-канальные

• 3,4 A
• 20 V
• Ir
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные

• 0.3 A
• 500 V
• 400 V
• TO-92
• THT
• Биполярные NPN

Примечание: Корпус: TO-92 | Предельная частота fT: 50 МГц | Напряжение коллектор-эмиттер Uceo, В: 400 В | Напряжение коллектор-база Ucbo, В: 500 В |...