Транзисторы для электронных компонентов. Страница 45

• Полевые N-канальные

Примечание: Производитель: IR. Корпус: I-Pak|Uds,V: 55 V|Idd,A: 17 A|Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm|Ciss, pF|Qg, nC: 480|15|Примечание: Управление...

• Полевые P-канальные

Примечание: Производитель: IR. Корпус: SO-8|Uds,V: 30 V|Id,A: 4,9 A|Rds(on),Om: 0,058 Ohm|Ciss, pF|Qg, nC: 710|23|монтаж: SMD

• Полевые N-канальные

Примечание: Производитель: IR|Корпус: D2Pak (TO-252)|Uds,V: 55 V|Idd,A: 49 A|Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63|Монтаж: SMD

• Полевые N-канальные

Примечание: Производитель: IR. Корпус: TO-252|D-Pak|Uds,V: 100 V|Idd,A: 9.4 A|Rds(on), Ohm: 0,21 Ohm|Ciss, pF|Qg, nC: 330|25|Монтаж: SMD

• Полевые N-канальные

Примечание: Производитель: IR. Корпус: TO-251|Uds,V: 55 V|Idd,A: 17 A|Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm|Ciss, pF|Qg, nC: 480|15|Примечание: Управление...

• Биполярные NPN

Примечание: Корпус: TO-220ISO|fT: 4 MHz|Uceo,V: 400 V|Ucbo,V: 700 V|Ic,A: 12 A

• Биполярные NPN

Примечание: Производитель: Sanyo|Корпус: TO-220|fT: 20 MHz|Uке, В: 60 V|Uкб, В: 70 V|Iк, А: 10 A|h21,max: 5000|Прим: Дарлингтон

• Биполярные NPN

Примечание: Производитель: Sanyo. Корпус: TO-220|fT: 150 MHz|Uceo,V: 75 V|Ucbo,V: 80 V|Ic,A: 0,125|h21: 200|Монтаж: THT

• Полевые N-канальные

Примечание: Производитель: JSMICRO|Корпус: TO-220AB|Uds,V: 30 V|Idd,A: 110 A|Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm|Ciss, pF/Qg, nC: 6201/171|Монтаж: THT

• Полевые P-канальные

Примечание: Производитель: Alpha & Omega. Корпус: DFN5X6|Uds,V: 30 V|Id,A: 85 A|Rds(on),Om: 4,5 mOhm|Ciss, pF|Qg, nC: 3505|75|монтаж: SMD

• Полевые P-канальные

Примечание: Производитель: IR|Корпус: TO-220|Uds,V: 55 V|Id,A: 74 A|Rds(on),Om: 0,02 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180|Монтаж: THT

• Полевые N-канальные

Примечание: Производитель: ST|Корпус: TO-220FP|Uds,V: 800 V|Idd,A: 6,2 A|Монтаж: THT

• Биполярные NPN

Примечание: Производитель: Fujitsu. Корпус: TO-3P|Uceo,V: 400 V|Ucbo,V: 450 V|Ic,A: 10.0 А|h21: 10|Монтаж: THT

• Полевые N-канальные

Примечание: Производитель: IR|Корпус: TO-220AB|Uds,V: 150 V|Idd,A: 43 A|Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200|Монтаж: THT

• Полевые N-канальные

Примечание: Корпус: SOT-223|Uds,V: 30 V|Idd,A: 4,6 A,031 Ohm|Монтаж: SMD

• Полевые N-канальные

Примечание: Производитель: NXP|Корпус: SOT-23|Uds,V: 20 V|Idd,A: 0,025 A|Ciss, pF|Qg, nC: 10|Монтаж: SMD

• Полевые N-канальные

Примечание: Производитель: IR. Корпус: TO-220|Uds,V: 200 V|Idd,A: 18 A|Rds(on), Ohm: 80 mOhm|Ciss, pF|Qg, nC: 1200|18|Монтаж: THT

• IGBT

Примечание: Производитель: ON|корпус: DPAK|Vces: 440 V|Vce: 1,3 V|Ic 25: 20 A|Pd 25: 125 W|td(on)/td(off) 100-150 град: 1,5/8

• IGBT

Примечание: Производитель: FAIR. корпус: TO-247|Vces: 600 V|Vce: 2,3 V|Vce: 80 A|Ic 100: 40 A

• Полевые N-канальные

Примечание: Производитель: Mitsubishi|Корпус: TO-220|Uds,V: 30 V|Idd,A: 4 A|Примечание: MOSFET|Монтаж: THT

• IGBT

Примечание: Производитель: IR. корпус: TO-247|Vces: 900 V|Vce: 2,25 V|Vce: 51 A|Ic 100: 28 A|Pd 25: 200 W

• IGBT

Примечание: Производитель: Semikron. корпус: SEMITRANS 2|Vces: 1700 V|Vce: 2,45 V|Vce: 80 A|Ic 100: 55 A|td(on)|td(off) 100-150 град: 210|590