Операційні підсилювачі для електронних компонентів

Примітка: Виробник: ST|Корпус: SOIC-8|Vc, V: 3...32 V|BW,MHz: 1 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 7 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,6 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: ST|Корпус: DIP-8|Vc, V: 36 V|BW,MHz: 15 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 5 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 1 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: HGSEMI|Корпус: DIP-16|Vc, V: ±18 V|BW,MHz: 2 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 4 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 50 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: JRC|Корпус: SOP-8|Vc, V: ±18 V|BW,MHz: 1 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 0,5 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 1 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: SOT-SC70|Vc, V: 5,5 V|BW,MHz: 1 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 1,7 V|Швидк.Зрост.,В/мкс: 1 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: SOIC-8|Vc, V: ±14 V|BW,MHz: 0,6 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 60 mV|Температурний діапазон: 0…+70°C|К-сть каналів: |Монтаж:

Примітка: Виробник: AD|Корпус: SOIC-8|Vc, V: 5 V|BW,MHz: 240 MHz|Температурний діапазон: -40…+85°C|К-сть каналів: 1|Монтаж: SMD

Примітка: Виробник: JRC|Корпус: DIP-8|Vc, V: ±18 V|BW,MHz: 8 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 0,5 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 3 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Корпус: DIP-14|Vc, V: ±18 V|BW,MHz: 3 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 6 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 13 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: SO-14|Vc, V: 32 V|BW,MHz: 1,2 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 5 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 1 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: Motorola|Корпус: DIP-8|Vc, V: 36 V|BW,MHz: 2 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 2 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,6 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: ST|Корпус: SO-14|Vc, V: 1,35...8 V|BW,MHz: 1 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 10 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,8 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: SO-8|Vc, V: 3…32 V|BW,MHz: 0,7 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 7 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,3 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: Burr-Brown|Корпус: SO-8|Vc, V: 2,5...5,5 V|BW,MHz: 5,5 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 0,5 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 6 V/µs|Температурний...

Примітка: Виробник: AD|Корпус: DIP-8|Vc, V: 2,7...12 V|BW,MHz: 3 MHz|Температурний діапазон: -40...+85°C|К-сть каналів: 2|Монтаж: THT

Примітка: Виробник: HGSemi|Корпус: DIP-8|Vc, V: 3...30 V|BW,MHz: 0,7 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 3 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,6 V/µs|Температурний...

Примітка: Виробник: BB|Корпус: DIP-16|Vc, V: ±18 V|BW,MHz: 2,5 MHz|Температурний діапазон: -25…+85°C|Монтаж: THT

Примітка: Виробник: TI|Корпус: DIP-8|Vc, V: 1,5...16 V|BW,MHz: 1 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 2 mV|Температурний діапазон: 0...+70°C|К-сть каналів:...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: PDIP-8|Vc, V: 3...32 V|BW,MHz: 0,7 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 5 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,3 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: SO-8|Vc, V: ±18 V|BW,MHz: 1 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): ±15 mV|Температурний діапазон: -40...+105°C|К-сть каналів:...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: DIP-8|Vc, V: ±18 V|BW,MHz: 4 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 0,2 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 10 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: ON|Корпус: DIP-8|Vc, V: 5...18 V|BW,MHz: 1 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 7,5 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 10 V/µs|Температурний діапазон:...