Транзисторы для электронных компонентов. Страница 5

• IGBT

Примечание: Производитель: China|корпус: TO-247|Vces: 600 V|Vce: 2,3 V|Ic 25: 80 A|Ic 100: 40 A

• Биполярные PNP

Примечание: Корпус: TO-3|fT: 3 MHz|Uкб, В: 70 V|Iк, А: 15 A

• Биполярные NPN

• Полевые N-канальные

Примечание: Корпус: SOT-23|Uds,V: 20 V|Idd,A: 0,02 A|Ciss, pF/Qg, nC: 5/|Монтаж: SMD

• Полевые P-канальные

Примечание: Производитель: IR|Корпус: TSOP-6|Uds,V: 30 V|Id,A: 4 A|Rds(on),Om: 0,85 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 535/11.4|Монтаж: SMD

• Полевые N-канальные

Примечание: Производитель: IR|Корпус: D-Pak (TO-252)|Uds,V: 55 V|Idd,A: 42 A|Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48|Монтаж: SMD

• MOSFET
• Полевые N-канальные

Примечание: TDSON-8

• MOSFET
• Полевые N-канальные

Примечание: TDSON-8

• Полевые N-канальные

Примечание: Производитель: MAGNACHIP|Корпус: PDFN-56|Uds,V: 30 V|Idd,A: 73 A|Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm|Ciss, pF/Qg, nC: 2521/41|Примечание: Single...

• Полевые N-канальные

Примечание: Производитель: MAGNACHIP|Корпус: PDFN-56|Uds,V: 30 V|Idd,A: 66 A|Rds(on), Ohm: 6 mOhm|Ciss, pF/Qg, nC: 1217/19|Примечание: Single...

• Полевые N-канальные

Примечание: Производитель: Siliconix|Корпус: TO-220|Uds,V: 600 V|Idd,A: 6,2 A|Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60|Монтаж: THT

• Полевые N-канальные

Примечание: Производитель: ON|Корпус: SOT-23|Uds,V: 60 V|Idd,A: 0,115 A|Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 50/|Монтаж: SMD

• Полевые N-канальные

Примечание: Производитель: VBSemi|Корпус: D2PAK (TO-263)|Uds,V: 100 V|Idd,A: 61 A|Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 2880/41|Монтаж: SMD

• Биполярные PNP

Примечание: Производитель: NXP|Корпус: TO-225|fT: 160 MHz|Uке, В: 45 V|Uкб, В: 45 V|Iк, А: 1,5 A

• Биполярные NPN

Примечание: Производитель: SPTech|Корпус: TO-3P|Uceo,V: 400 V|Ucbo,V: 450 V|Ic,A: 10 А|Монтаж: THT

• Биполярные NPN

Примечание: Производитель: Jingdao|Корпус: SOT-23|fT: 300 MHz|Uceo,V: 160 V|Ucbo,V: 180 V|Ic,A: 0,6 A|h21: 250|Монтаж: SMD

• Полевые N-канальные

Примечание: Производитель: Mitsubishi|Корпус: TO-220|Uds,V: 30 V|Idd,A: 4 A|Примечание: MOSFET|Монтаж: THT

• Полевые N-канальные

Примечание: Производитель: VBsemi|Корпус: TO-220AB|Uds,V: 30 V|Idd,A: 260 A|Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110|Примечание: Керування...

• Биполярные PNP

Примечание: Производитель: ST|Корпус: TO-247|Uке, В: 60 V|Uкб, В: 100 V|Iк, А: 15 A|h21,max: 20

Примечание: Vceo, V: 35 V|Спектр 0.5, nm: 750-1120 nm|Дополнительно: Фототранзистор. Корпус PLCC2. Довжина хвилі у точці макс. чутливості 980нм. Кут...

• ВЧ

Примечание: Производитель: Infineon|Корпус: TSFP-3|Частота: 14 GHz|Тип: NPN|Uce, V: 6 V|Ucb, V: 15 V|Ic, A: 0,08 A

• Биполярные PNP

Примечание: Производитель: Diotec|Корпус: TO-92 bent|fT: 280 MHz|Uке, В: 65 V|Uкб, В: 65 V|Iк, А: 0,1 A|h21,max: 450

• Биполярные NPN

Примечание: Производитель: Diotec|Корпус: TO-92 bent|fT: 300 MHz|Uceo,V: 45 V|Ucbo,V: 50 V|Ic,A: 0,1 A|h21: 200|Монтаж: THT

• Полевые N-канальные